电子产品装调与人工智能创新考核装置

KCRZN-332B型电子产品装调与人工智能创新考核装置

一、设备概述

该电子产品装调与人工智能创新考核装置以能力为本位，以就业为导向，紧密贴合实际生产和职业岗位技能要求，细节设计人性化，引入工程系统设计理念，注重产品的通用性和升级性，确保设备整体简洁大方，使用灵活便捷，坚固耐用。

学生可借助此装置完成中小型电子产品的装配、调试和检修等实训项目，从而掌握电子产品装配和调试的基本技能。同时，该装置还能满足电子制作、电子设计大赛、课程设计、毕业设计等综合性、设计性、创新性实训需求。

二、设备技术指标

1. 工作电源：两相三线 AC 220V±10% 50Hz

2. 温度：－10～40℃；环境湿度：≤90%（25℃）

3. 外形尺寸：长×宽×高 = 1600mm×800mm×2000mm

4. 整机功耗：≤1KW

5. 安全保护措施：具有接地保护、漏电保护功能，安全性符合相关国标标准，采用高绝缘的安全型插座及带绝缘护套的高强度安全型实验导线。

三、设备功能特点

该设备主要由工作台、实训屏、实训屏模块、工具柜、电路实训模块组成。

1. 工作台 ：主体结构采用高性能表面氧化的铝型材及一次成型铝压铸框架连接构件，连接构件经机加工、抛丸、喷砂，表面静电喷涂工艺，用户可自行 DIY 组装。桌体立柱采用工业铝型材成型工艺，表面氧化处理，截面尺寸 70×70mm，四面带槽，槽宽约 8mm，端部配套塑料堵头固定安装万向轮，方便实验台挪动及摆放。桌面采用 25mm 厚高密度纤维板，桌面直嵌无异味绝缘胶垫，绝缘截面封边，具有耐磨、抗静电及易清洁等特点。桌面尺寸 1600×800×25mm，桌面底部固定在 40mm 高度的钣金衬板，钣金衬板再与压铸构件固定支撑脚立柱型材，使实验台和桌面结合更加牢固。整体高度按人体工程学要求设计为 800mm±20mm，满足 2 名学生同时的操作空间。仪器台面尺寸≥1500×340×25mm，采用 3mm 的钣金固定主结构立柱，台阶高度 285mm，倾斜防滑落设计，满足摆方常用仪器的要求，也可以摆放电脑显示器。桌面下方装有储物抽屉和键盘托盘，抽屉尺寸≥650×360mm，键盘托盘≥640×360mm，可左右互换，采用静音式滑轨，表面经纯环氧树脂塑粉高温固化处理。桌底侧梁可装电脑主机托盘，可选左侧或右侧安装。

2. 实训屏 ：安装于仪器台面下方，装配有 220V 交流电源输出 12 路：接口采用 10A/250V 五孔防水插座，分别位于实训屏前面板和顶面板，由过载开关分 2 路控制。直流稳压电源 2 路（0 ~ 30V、2A），由多圈电位器连续调节，输出最大电流为 2A，每路电源输出有 0.5 级数字电流表、电压表指示。电压稳压度 < 10－2，负稳压度 < 10－2，纹波电压: < 5mV。顶部电源可用作示波器、信号源、电脑主机等仪器使用。面板电源可做为电烙铁、热风焊台、电源模块工作电源等。照明：在实训台顶部和仪器台面下方，控制屏左右同事设置开关控制。静电手环报警器：内置防静电设备报警器 2 路：实时监测操作人员的静电设备佩戴情况及地线的接入大地情况，遇异常状况立刻自动警报。

3. 网孔工具挂板 ：二阶桌面上方挂放网孔板，网孔大小 10mm×10mm，网孔数大于等于 35×9 个，搭配 6 只 100mm 挂钩，及磁吸条。

4. 工具柜 ：不含轮尺寸 720mm×500mm×485mm（长×深×高），用优质冷轧钢板焊接而成，表面静电喷塑。工具柜下装带刹车的万向轮，可放置实训电路板、元器件、工具、耗材等。

5. AI+IOT 应用模块 ：以 ESP32 主机模块和 AI 主机模块作为主板单元和传感器单元组成，通过通用扩展板，实现主板单元以及传感器单元的快速连接，搭配一条 USB 数据线就可以使用 MicroPython 语言编程。分别配有 ESP32 主机模块和 AI 主机模块，ESP32 主机模块板载 USB、SD 卡、指示灯、按键、40P 扩展接口等资源，ESP32-WROOM-32 模组集成 Wi-Fi，支持通过路由器直接连接互联网；AI 主机模块板载 30 万像素摄像头，2.4 寸 TFT 屏幕、神经网络算法处理器、USB、SD 卡，按键、锂电池，32P 扩展接口等资源；通过通用扩展板，将主机单元的接口转换成通用的 4P 接口与通用 3P 插针接口，使用者可以灵活选择相应的接口以适应不同的外设功能配置。模块包含 LED 灯模块、按键模块、RGB 彩灯模块、蜂鸣器模块、人体感应传感器、光敏传感器、温度传感器、湿度传感器、OLED 显示模块、模拟量传感器、直流电机模块、气压传感器模块等十五余种模块、传感器通过 4P 连接线连接到通用扩展板。

6. 资源包配置 ：资源包含 30 余种电路套件，内容十分丰富。

7. 数据采集器 NI-myDAQ ：提供 2 个模拟输入通道，可配置为通用高阻抗差分电压输入或音频输入。模拟输入为多路复用，在通用模式下，测量信号范围为 ±10 V。在音频模式下，两个通道分别表示左右立体声通道电平输入。每通道可测量的模拟输入采样高达 200 kS/s，对于波形采集非常有用。模拟输入可用于 NI ELVISmx 示波器、动态信号分析仪和 Bode 分析仪。提供 2 个模拟输出通道，可配置为通用电压输出或音频输出。两通道均带一个专用数模转换器（DAC），可进行同步更新。在通用模式下，生成信号范围为 ±10 V。在音频模式下，两个通道分别表示左右立体声信号输出。提供 8 个 DIO 数字通道。每个通道都是一个可编程函数接口（PFI），即通道可配置为通用软件定时的数字输入或输出，也可用作数字计数器的特殊函数输入或输出。提供 3 个可供使用的电源。+15 V 和 -15 V 为模拟组件电源，+5 V 为数字组件电源。电源、模拟输出和数字输出的总功率限制为 500 mW。提供测量电压（DC 和 AC）、电流（DC 和 AC）、电阻和二极管电压降的功能。数据采集器支持 NI LabVIEW 和 NI ELVISmx 软件中使用。

8. 双踪示波器 NDS1102S ：100MHz 带宽，1GSa/s 实时采样率，双通道，2ns/div～1000s/div 时基范围；存储深度不低于 10K 采样点；超便携示波器，体积不大于 301 x 152 x 70 mm，超薄机身设计，厚度不大于 70 mm，重量不大于 1.1kg，节省更多桌面空间，超静音设计，功耗不高于 18W；不小于 7 英寸 TFT（真彩色）液晶屏幕，65535 色，分辨率不低于 800 × 480 像素；存储波形不少于 16 组；具备 U 盘存储功能；具有自动量程功能，支持水平，垂直、单波形 / 多波形跟踪；探头衰减倍数不少于 1X, 10X, 100X, 1000X，四种；支持光标测量，光标模式不少于电压差（△V），时间差（△T），时间差 & 电压差（△V），自动光标四种模式；内置 6 位硬件频率计，可测量 2Hz ~ 20MHz；具有电流测量功能，测量范围：100.0mA/V ~ 1KA/V；USB Device & Host 接口；具有 30 种自动测量功能（参数为中文显示），能自定义测量菜单；具有波形截取功能，能与同品牌系列信号发生器无缝对接；支持 LABVIEW 通讯，支持二次开发。

9. 函数发生器 ：采用先进的 DDS 技术，双通道独立输出，能实现通道复制，5M 最高频率输出，不低于 125MS/s 采样率；14 bits 垂直分辨率，频率分辨率不低于 1uHz，任意波长度不低于 8K 点；频率特性：正弦波 1uHz ~ 10MHz；方波 1uHz ~ 5MHz；脉冲波 1uHz ~ 5MHz；锯齿波 1uHz ~ 1MHz；噪声：5MHz（-3dB, 典型值）；任意波 1uHz ~ MHz；丰富的波形输出：5 种基本波形，内置不少于 45 种任意波形；非易失存储空间不低于 64M byte；内置高精度频率计，支持测量频率、周期、正脉冲宽度、占空比，频率范围：100mHz ~ 200MHz，频率精度不低于 1ppm；矩形波抖动（RMS）不高于 1ns；4 英寸（480*320）高分辨率 FTF 液晶显示；支持与 EDS 系列示波器无缝互连；配置 ultrawave 任意波形的编辑软件，支持远程命令控制；丰富的接口设计：USB Host & USB device、LAN（选配）、RS－232（选配），可外接调制源，10MHz 基准时钟源；支持 SCPI、Labview 通信；可选配功放功能，最大输出功率 10W，增益 X10，最大输出电压 22V；支持与示波器，电源，万用表组建 Xlab 无线互联网实验室管理。

10. 数字万用表 ：可测直流电压、交流电压、直流电流、交流电流、电阻、电容、温度 (℃)、二极体、电晶体；采用 69×52mm 大型 LCD，具有备光功能，不低于 3-5/6 位数，最大读值不低于 5999，采样速率不低于 3 次 / 秒；带有蓝牙功能，支持手机、平板 app 与万用表通信，能实行多台同时监测；支持手机，平板与万用表连接，通过 APP 端监测万用表；支持语音播报，语音警报，保证测量安全；万用表自带内存功能，支持离线记录功能，并能对记录数据进行保存与上传，记录能用趋势图显示；支持真有效值显示；具有过电流保护功能；非电阻档位输入保护电压可达 250V；直流电压最大量程不低于 1000V，精度最高不低于 ±(0.5%+3d)；交流电压最大量程不低于 750V，精度最高不低于 ±(0.8%+2d)；电流最大量程不低于 20A，电流精度不低于：±(0.8%+2d)；电阻最大量程不低于 60MΩ，精度不低于：±(0.8%+2d)；电容最大量程不低于 4000μF，精度不低于 ±(2.5%+3dig)。

四、设备配置